Соглашение по полупроводникам между США и Японией 1986 года

Соглашение по полупроводникам между США и Японией 1986 года

Соглашение по полупроводникам между США и Японией 1986 года — это совместное соглашение, подписанное 2 сентября 1986 года между США и Японией. Соглашение было направлено на разрешение торговой войны между двумя странами в области полупроводников.

В рамках этого соглашения Япония согласилась улучшить доступ на свой рынок для иностранных компаний и прекратить демпинг полупроводников на мировых рынках.

Предыстория[править | править код]

Хотя США были бесспорным лидером в микроэлектронных технологиях, они столкнулись с серьёзной конкуренцией со стороны Японии. В период с 1978 по 1987 год доля Японии на мировом рынке массового производства полупроводников выросла с 28% до 50%, в то время как доля США упала с 55% до 44%.

В начале 1980-х годов, когда японские компании начали проникать в полупроводниковую промышленность США, американские компании стали обращаться в Министерство торговли США и Международную торговую комиссию США (ITC). Начало торговой войны произошло в июне 1985 года, когда Ассоциация полупроводниковой промышленности подала жалобу в соответствии с разделом 301 Закона о торговле 1974 года в офис Торгового представителя США, чтобы остановить предполагаемую дискриминацию американских поставщиков со стороны Японии. В жалобе утверждалось, что Министерство международной торговли и промышленности Японии (MITI) установило скрытую квоту на импорт американских полупроводников и что японский рынок был сильно защищён. Вскоре последовали обвинения в том, что японцы занимаются демпингом, продавая чипы по цене ниже справедливой рыночной стоимости на мировом рынке. Отмечается, что японские компании, как правило, имели более лёгкий доступ к капиталу, что позволяло им больше тратить на исследования и разработки, а также выдерживать большие потери во время экономических спадов.

После череды действий с обеих сторон, к середине 1986 года они достигли соглашения.

Обзор[править | править код]

Соглашение было подписано 2 сентября 1986 года Клейтоном Йюттером, Торговым представителем США, и Нобуо Мацунагой, послом Японии в США. Срок действия соглашения составлял пять лет, и оно истекло 31 июля 1991 года.

Влияние и последствия[править | править код]

США[править | править код]

Результаты соглашения описываются как неоднозначные. Хотя американская полупроводниковая промышленность впоследствии восстановилась, нет убедительных доказательств того, что соглашение сыграло в этом значительную роль. Вместо этого успех связывают с разработкой компаниями более совершенных технологий и дизайна чипов.

Япония[править | править код]

Считается, что соглашение подорвало конкурентоспособность Японии на рынке полупроводников, позволив компаниям из других стран укрепить свои позиции.

Антидемпинговые меры привели к снижению доли Японии на рынке DRAM с 75% в 1987 году до 20% в 2001 году. Отмечается, что большим бенефициаром этих мер стала Южная Корея, где лидерство взяли такие компании, как Samsung Electronics. Они считались иностранными компаниями, но не подвергались антидемпинговым мерам, поэтому их продукция была более доступной. Доля Южной Кореи на рынке DRAM за тот же период выросла с 5% до 40%, и в 1998 году она обогнала Японию.

См. также[править | править код]

Соглашение Плаза

Ссылки[править | править код]