Samsung Foundry

Samsung Foundry (кор. 삼성전자 파운드ри 사업부) — это специализированное подразделение по производству полупроводников в составе Samsung Electronics. Будучи созданным как отдельная структура в рамках Дивизиона решений для устройств (DS Division) компании в 2017 году, оно является одним из крупнейших в мире контрактных производителей интегральных схем, в основном сосредоточенных на логических полупроводниках.

История и выделение в отдельное подразделение[править | править код]

До 2017 года производственные мощности Samsung по контрактному изготовлению чипов находились в составе подразделения System LSI, которое отвечало как за проектирование, так и за производство микросхем. Такая интегрированная структура создавала проблемы для внешних заказчиков, которые часто были конкурентами собственных проектных подразделений Samsung. Чтобы устранить эти конфликты интересов и привлечь больше стороннего бизнеса, Samsung официально выделил своё подразделение по производству логических чипов в отдельную бизнес-единицу — Samsung Foundry — в мае 2017 года. Это стратегическое разделение было направлено на то, чтобы позиционировать Samsung как более нейтрального партнёра, способного предлагать передовые технологические процессы любой компании, независимо от её конкуренции с собственными мобильными или электронными подразделениями Samsung.

Производственные технологии[править | править код]

Samsung Foundry является пионером в разработке и внедрении технологических процессов следующего поколения. Её конкурентные позиции в значительной степени зависят от способности переходить на более мелкие и эффективные техпроцессы раньше соперников.

Технология Gate-All-Around (GAA)[править | править код]

Samsung первой в отрасли объявила о внедрении транзисторной архитектуры Gate-All-Around (GAAFET) в массовое производство. Техпроцесс 3 нм: Компания начала массовое производство своего техпроцесса класса 3 нанометра, известного как 3GAAE (3 nm Gate-All-Around Early), в 2022 году. Эта технология представляет собой фундаментальный переход от традиционной архитектуры FinFET, использовавшейся в предыдущих техпроцессах. Транзисторы GAAFET обеспечивают более точный контроль над током, протекающим через канал транзистора, что приводит к значительному улучшению энергоэффективности и плотности производительности. Разработка 2 нм: Дорожная карта развития включает техпроцесс SF2 (2 нм), массовое производство которого, как ожидается, начнётся к 2025 году. Этот шаг призван сохранить лидерство в производительности и энергопотреблении в сфере контрактного производства.

Ключевые технологические процессы[править | править код]

Samsung Foundry в настоящее время предлагает широкий спектр услуг по производству, включая: Техпроцессы FinFET: 14 нм, 10 нм, 8 нм, 7 нм, 5 нм и 4 нм. Техпроцессы GAA: 3 нм (3GAAE/3GAE) и планируемый 2 нм (SF2).

Конкуренция[править | править код]

Samsung Foundry работает на высококонкурентном рынке, в первую очередь соперничая с тайваньской компанией Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC). TSMC в настоящее время занимает наибольшую долю мирового рынка. Конкуренция между Samsung и TSMC часто сосредоточена на том, кто сможет успешно перейти и масштабировать производство новейших, самых мелких техпроцессов (например, 3 нм и 2 нм) с приемлемым уровнем выхода годных изделий. К другим конкурентам относятся United Microelectronics Corporation (UMC) и Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), хотя эти компании, как правило, сосредоточены на несколько более старых или менее передовых технологических процессах.

См. также[править | править код]

Полупроводниковое производство Список полупроводниковых производств Samsung Electronics

Ссылки[править | править код]